竹内研は4－6月に開催される、IEEEの４つの国際会議、IRPS（4月、ロサンゼルス近郊）、ICEP（4月、札幌）、IMW（5月、パリ）、VLSIシンポジウム（6月、ホノルル）で８件の発表を行います。
日本の半導体、エレクトロニクスは産業界が厳しい状況ですが、技術そのものの重要性が下がったわけではありません。
アップルが横浜に研究所を作るのも、日本の電機メーカーのエンジニアの獲得を狙っているからでしょう。
日本は元気であることをアピールしてきたいと思っています。
また、東大から中央大学に移って4年になります。東大を辞めたら成果は出なくなるのではないか、などと随分言われたものですが、逆に成果は増えました。
研究室に在籍する学生の数が全然違い、東大の時の1学年2名から8－10人になりました。
学生の皆さんが頑張って、これだけの成果を出すことができました。
8件の発表のうち、6件が卒論の成果です。
学部生でも卒論を頑張れば、世界トップレベルの国際会議で発表できることを、学生たちが証明してくれました。
いま成果のボトルネックになっているのは、実は英語です。
どんなに素晴らしい研究成果が出ても、英語で説得力のある文章を書いて論文を作成しなければ認められません。これは企業に入ってからも同様です。
この分野では日本語で論文を書くことはほぼありません。
ぜひ、このブログを見た学生さんは理系でも英語の勉強をしましょう。
■ IEEE International Reliability Physics Symposium（IRPS）
・Yoshiaki Deguchi, Tsukasa Tokutomi and Ken Takeuchi, “System-Level Error Correction by Read-Disturb Error Model of 1Xnm TLC NAND Flash Memory for Read-Intensive Enterprise Solid-State Drives (SSDs)”
・Tomonori Takahashi, Senju Yamazaki and Ken Takeuchi, “Data-Retention Time Prediction of Long-term Archive SSD with Flexible-nLC NAND Flash”
・Yoshio Nakamura, Tomoko Iwasaki and Ken Takeuchi, “Machine Learning-Based Proactive Data Retention Error Screening in 1Xnm TLC NAND Flash”
■ International Conference on Electronics Packaging（ICEP）
・Yusuke Sugiyama, Tomoaki Yamada, Chihiro Matsui, Takahiro Onagi and Ken Takeuchi, “Application Dependency of 3-D Integrated Hybrid Solid-State Drive System with Through-Silicon Via Technology”
■ IEEE International Memory Workshop（IMW）
・Hiroki Yamazawa, Kazuki Maeda, Tomoko Ogura Iwasaki and Ken Takeuchi, “Privacy-Protection SSD with Precision ECC and Crush Techniques for 15.5× Improved Data-Lifetime Control”
・Tsukasa Tokutomi and Ken Takeuchi, “17x Reliability Enhanced LDPC Code with Burst-Error Masking and High-Precision LLR for Highly Reliable Solid-State-Drives with TLC NAND Flash Memory”
・Yusuke Yamaga, Chihiro Matsui, Shogo Hachiya and Ken Takeuchi, “Application Optimized Adaptive ECC with Advanced LDPCs to Resolve Trade-off among Reliability, Performance, and Cost of Solid-State Drives”
■ IEEE Symposium on VLSI Technologies
・Atsuro Kobayashi, Tsukasa Tokutomi and Ken Takeuchi, “Versatile TLC NAND Flash Memory Control to Reduce Read Disturb Errors by 85% and Extend Read Cycles by 6.7-times of Read-Hot and Cold Data for Cloud Data Centers”
編集部より：この投稿は、竹内健・中央大理工学部教授の研究室ブログ「竹内研究室の日記」2016年4月17日の記事を転載させていただきました。オリジナル原稿をお読みになりたい方は「竹内研究室の日記」をご覧ください。
